siendo compensado internamente en frecuencia

Hoja Tecnica 74LS11

específicamente diseñado para aplicaciones de radio de automóviles

IRFP260N MOSFET Canal N 200V - 50A TO-247

2SA1015 Transistor BJT PNP -50V / -150mA TO-92 Infrarrojo siendo compensado internamente en frecuencia2SA1015 Transistor BJT PNP 50V 150mA TO 92, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plstico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 400mW, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 150mA o que requieran tensiones de hasta 50VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificacin (hFE) que